За даними південнокорейського видання Herald, компанія SK hynix готується до серійного виробництва пам’яті LPDDR6 наступного покоління. Орієнтовний термін запуску виробництва — друга половина 2026 року. Раніше поширювалися чутки, що серійне виробництво нового стандарту пам’яті розпочнеться в першій половині року, оскільки тестування та пробне виробництво вже завершили у березні.
Джерело зображення: SK hynix
Раніше SK hynix анонсувала, що модулі пам’яті LPDDR6 матимуть ємність 16 Гбіт і виготовлятимуться за 10-нм техпроцесом шостого покоління, відомим як 1c. Хоча точна швидкість LPDDR6 поки невідома, раніше повідомлялося, що SK hynix розробляє модулі, здатні працювати на швидкостях до 14,4 Гбіт/с. Це забезпечить значне зростання пропускної здатності порівняно з пам’яттю LPDDR5X попереднього покоління. Компанія заявила про збільшення швидкості LPDDR6 на 33 % порівняно з LPDDR5X, максимальна швидкість якої становить 10,7 Гбіт/с, що відповідає показнику 14,4 Гбіт/с для LPDDR6.
Пам’ять LPDDR6 запропонує численні вдосконалення, зокрема щодо щільності, енергоефективності та швидкості. SK hynix також очікує значного підвищення її енергоефективності — більш ніж на 20 %. У LPDDR6 використовується структура субканалів, яка дозволяє основним каналам пам’яті працювати вибірково, обробляючи лише необхідні шляхи передачі даних. Це означає, що не всі канали будуть задіяні, якщо в цьому немає потреби. Крім того, LPDDR6 застосовує технологію динамічного масштабування напруги та частоти (DVFS), яка оптимізує енергоспоживання та продуктивність шляхом динамічного регулювання напруги і частоти залежно від сценарію використання.
Інформація підготовлена на основі матеріалів: 3dnews.ru