HBM4E забезпечує 33% збільшення щільності чипів та 38% приріст пропускної здатності пам’яті, націлюючись на 4 ТБ/с для дата-центрових чіпів нового покоління для ШІ
Компанії NVIDIA та AMD використовуватимуть HBM4 для живлення своїх останніх GPU для дата-центрів зі штучним інтелектом цього року. Серії Rubin та MI400 мають вражаючі специфікації, а рішення HBM, що використовуються в них, є одними з найбільших інновацій.
2 із 9
Перехід на HBM4 забезпечує значне покращення пропускної здатності, щільності та ефективності, але навіть з усіма його передовими функціями пам’яті недостатньо, і існує попит на ще більші ємності в поєднанні з вищою пропускною здатністю.
Тому на Computex 2026 SK Hynix представляє свою майбутню пам’ять HBM4E. Нове рішення поставляється з щільністю 32 Гбіт, що на 33% більше порівняно з HBM4. З такою щільністю можна досягти такої ж ємності 48 ГБ, як у HBM4 з 16-Hi стеками, використовуючи лише 12-Hi стеки. І це ще не все, HBM4E швидка, зі швидкістю до 16 Гбіт/с на пінь, що на 37% більше, ніж у HBM4, що виводить пропускну здатність пам’яті до рекордних 4 ТБ/с.
2 із 9
Основні переваги HBM4E, які ми згадували вище: пропускна здатність пам’яті та щільність чипів. SK Hynix вже лідирує у виробництві HBM4E, демонструючи зразки, і ми побачимо перше використання цієї пам’яті в графічних процесорах NVIDIA Rubin Ultra, які з’являться наступного року. Наступник Rubin матиме щільнішу конструкцію і міститиме кілька GPU та чіплетів HBM4E в одному корпусі, що забезпечить рекордний стрибок продуктивності в галузі ШІ.
| Характеристика / Параметр | HBM4E (48 ГБ, 12-Hi) | HBM4 (пікова специфікація, 48 ГБ, 16-Hi) | HBM3E (36 ГБ, 12-Hi) |
|---|---|---|---|
| Ємність | 48 ГБ | 48 ГБ | 36 ГБ |
| Висота стека | 12-Hi | 16-Hi | 12-Hi |
| Щільність чипів | 1.5-кратне покращення | +33% на основний чип | — |
| Пропускна здатність (на пінь) | 3.2 Гбіт/с (+50%) | До 16 Гбіт/с | 1.2 Гбіт/с (+20%) |
| Пропускна здатність пам’яті | 1.5 ТБ/с | Вище (робочі навантаження ШІ) | 1.2 ТБ/с |
| I/O канали | x1024 | x2048 | x1024 |
| Напруга | 1.2 В | 1.2 В | 1.2 В |
| Ефективність | 1.5-кратне збільшення щільності | +40% енергоефективність | +10% енергоефективність |
| Техпроцес | — | TSMC N3E | — |
AI-N B використовує HBM-подібні TSV для стекування NAND
SK Hynix також працює над рішенням для стекування NAND наступного покоління, яке матиме HBM-подібний дизайн шляхом стекування кількох NAND чипів за допомогою TSV (Through-Silicon-Vias). Ця технологія спрямована на забезпечення пропускної здатності, подібної до HBM, з ємністю, подібною до SSD. Технологія схожа на те, що роблять HBF та Z-Angle, і може допомогти вирішити проблему розриву між попитом та пропозицією пам’яті, яка зараз спостерігається в технологічному сегменті.
Представлені також перші 96 ГБ LPCAMM2, V9 QLC та V9 TLC продукти від SK Hynix
Крім HBM DRAM, SK Hynix також представила свої останні клієнтські продукти, такі як 96 ГБ модуль LPCAMM2 на основі їхньої 1cnm технології. Цей модуль LPCAMM2 досягає швидкості передачі до 9.6 Гбіт/с і базується на стандарті LPDDR5X. Модулі повинні з’явитися пізніше цього року для платформ “AI PC”.
2 із 9
Компанія також працює над широким спектром NAND технологій, таких як V9 NAND, що поставляється в QLC та TLC варіантах, пропонуючи до 2 ТБ ємності зберігання у форм-факторі cSSD. Ці SSD ідеально підходять для дизайнів з малим форм-фактором, забезпечуючи високу енергоефективність без використання DRAM.
Про автора: Хасан Муджтаба, інженер-програміст за освітою та ентузіаст ПК за покликанням, є старшим редактором розділу апаратного забезпечення Wccftech. Маючи багаторічний досвід роботи в галузі, він спеціалізується на глибокому технічному аналізі процесорних та графічних архітектур нового покоління, материнських плат та систем охолодження. Його робота включає не тільки висвітлення новин про майбутні технології, але й всебічні огляди та бенчмаркінг.
Слідкуйте за Wccftech на Google, щоб отримувати більше новин у стрічках.
Додаткове читання
NVIDIA Vera Rubin переходить у повномасштабне виробництво, готова принести всю міць ШІ від NVIDIA до агентських фабрик ШІ
Hassan Mujtaba 
FuriosaAI відмовляється від GPU-стратегії на користь чіпа для інференсу Broadcom на 2 нм, стверджуючи, що пропускна здатність HBM4/E перевершує навіть найефективніші GPU
Hassan Mujtaba 
Ціна пам’яті NVIDIA Vera Rubin Rack зросла на 435%, загальна вартість HBM4 та LPDDR5X досягла 2 мільйонів доларів з 7.8 мільйонів
Hassan Mujtaba 
AMD EPYC домінує на серверному ринку з рекордними 46.2% частки доходу, контролюючи 30% всього сегмента CPU
Hassan Mujtaba
Чи варто купувати? (Порада ІТ-Блогу): HBM4E представляє значний крок вперед у продуктивності пам’яті для ШІ-прискорювачів, пропонуючи вищу щільність та пропускну здатність. Хоча безпосередньо купити її поки що неможливо, її впровадження в майбутніх GPU NVIDIA Rubin Ultra обіцяє суттєве підвищення продуктивності для найвимогливіших завдань. Для ентузіастів і професіоналів, що працюють з ШІ, це саме та технологія, за якою варто стежити.
За даними порталу: wccftech.com