Нова пам’ять HBM4 від Samsung демонструє вражаючі показники виходу продукції — майже 80%, що значно зміцнило впевненість компанії у своїх розробках.
Samsung виходить на лідерські позиції в сегменті AI DRAM завдяки успішному виробництву HBM4, AMD вже використовує рішення компанії в чіпах MI400
Samsung подолала значні перешкоди в сегменті HBM, прагнучи конкурувати з SK Hynix та Micron. Компанія витратила багато часу на розробку та тестування своєї пам’яті з різними партнерами, але прогрес був повільним, хоча й стабільним. Тепер Samsung досягла важливого етапу в реалізації своєї дорожньої карти HBM, зокрема, з новою пам’яттю HBM4.
Згідно з повідомленням Sedaily, Samsung досягла показника виходу продукції HBM4 близько 80%, що вважається “золотим стандартом” у галузі. Масове виробництво новітнього рішення HBM4 від Samsung розпочалося в лютому цього року. Воно пропонує 12-шарові стеки та місткість до 36 ГБ на стек. Ці модулі DRAM забезпечують швидкість 11,7-13,0 Гбіт/с. Серед ключових переваг рішення Samsung HBM4:
- Техпроцес DRAM 10 нм класу (1c)
- Логічний техпроцес 4 нм
- Швидкість пінів 11,7-13,0 Гбіт/с
- Пропускна здатність до 3,3 ТБ/с на стек
- 12-шарові HBM4 ємністю 24-36 ГБ
- 16-шарові HBM4 ємністю 48 ГБ
- 2048-піновий інтерфейс IO
- 40% покращення енергоефективності
- На 10% краща термостійкість порівняно з HBM3E
- На 30% краще тепловідведення порівняно з HBM3E
Коли було анонсовано масове виробництво, показник виходу продукції HBM4 від Samsung становив 60%. Однак завдяки прискореному та оптимізованому плану виробництва компанії вдалося раніше досягти поставленої на кінець року мети, показавши 80% виходу. Цей результат вразив галузь і значно підвищив впевненість у подальшій реалізації дорожньої карти HBM.
Вихід продукції HBM4 від Samsung Electronics нещодавно наблизився до позначки 80%, що дозволяє говорити про досягнення “золотого виходу”. Цей показник, який на початку масового виробництва в лютому становив менше 60%, зріс до початкової річної мети за півроку. Темпи вдосконалення процесу перевищили очікування галузі.
Джерело: SEDaily
Завдяки цьому Samsung потроїла квартальний дохід від HBM4 DRAM у третьому кварталі, збільшивши частку своєї пам’яті HBM4 більш ніж на 60% у другій половині 2026 року в загальному портфелі продуктів HBM.
Компанія тепер має міцні позиції, щоб кинути виклик домінуванню SK Hynix у сегменті HBM. Щодо HBM4e, Samsung повідомила про досягнення 70% виходу продукції за тестами надійності, готуючись вийти на ринок наступного покоління HBM з потужним продуктом. Раніше цього року компанія представила свою пам’ять HBM4E ємністю 48 ГБ та пропускною здатністю до 4 ТБ/с на стек DRAM.
AMD вже використовує пам’ять HBM4 від Samsung для своєї платформи Instinct MI400. Завдяки вдосконаленню HBM4E компанія також прагне залучити NVIDIA для використання рішення в майбутній архітектурі Rubin Ultra, а також у серії MI500 наступного покоління.
Дорожня карта HBM від Samsung демонструє вражаючий прогрес, який підкреслює швидкий розвиток компанії та її відновлену впевненість. З уже прийнятою AMD пам’яттю для серії Instinct MI400 та потужним розвитком HBM4E, Samsung міцно закріплюється як серйозний конкурент на ринку AI DRAM.
Про автора: Хасан Муджтаба, інженер-програміст за освітою та ентузіаст ПК за покликанням, є старшим редактором відділу апаратного забезпечення Wccftech. Маючи багаторічний досвід роботи в галузі, він спеціалізується на глибокому технічному аналізі процесорних і графічних архітектур наступного покоління, материнських плат та систем охолодження. Його робота охоплює не тільки актуальні новини про майбутні технології, а й всебічні огляди та тестування.
Слідкуйте за Wccftech у Google, щоб отримувати більше новин у стрічках.
Додатково до прочитання:
IP-адреса пам’яті LPDDR6 від Innosilicon потрапила до великого корейського виробника DRAM, який також представив технології GDDR7, HBM4 та PCIe 6.0 у діапазоні від 28 нм до 3 нм
Хасан Муджтаба
AMD випускає GPU Instinct MI455X, гігантську систему з 320 мільярдами транзисторів, розроблену для протистояння NVIDIA Rubin завдяки на 50% більшій пам’яті HBM4 та обчислювальній потужності до 40 PFLOPs для ШІ
Хасан Муджтаба
GPU NVIDIA Rubin забезпечують 10-кратне збільшення продуктивності агентного ШІ порівняно з Blackwell, оскільки їхня архітектура повністю розкрита, включаючи 336 мільярдів транзисторів
Хасан Муджтаба
AMD представляє Helios, свій центр обробки даних ШІ наступного покоління з MI455X та EPYC 6-го покоління, кидаючи виклик домінуванню NVIDIA у сфері великомасштабних рішень
Хасан Муджтаба
За даними порталу: wccftech.com