Samsung представила новітні технології пам’яті та зберігання даних на FMS 2026, включно з V10 BV-NAND, zHBM та zNAND-O.
AI-прискорювачі наступного покоління розміщуватимуть масивні вертикальні стеки HBM безпосередньо на них за допомогою технології Samsung zHBM
Зі зростанням вимог до штучного інтелекту та обчислень, поточні технології починають демонструвати недоліки, що спонукає виробників інвестувати в трансформаційні концепції, які відіграватимуть ключову роль у майбутній інфраструктурі ШІ.
На FMS 2026 Samsung представила дві абсолютно нові технології, які наразі перебувають на стадії концепції, але можуть стати значним проривом у майбутньому, якщо їх буде реалізовано на реальному кремнії, зокрема для ШІ-прискорювачів.
Основною представленою технологією є рішення для пам’яті zHBM. За словами компанії, zHBM бере існуючу конструкцію HBM і розміщує її безпосередньо над ШІ-прискорювачем. Наразі HBM розташовується поруч з основним обчислювальним чипом ШІ-прискорювача, але розміщення її зверху дозволить заощадити простір і забезпечити кращий приріст швидкості передачі даних.
Очікується, що zHBM забезпечить вищу пропускну здатність та покращену енергоефективність. Компанія стверджує, що zHBM надасть 8-кратне збільшення продуктивності порівняно зі звичайним рішенням HBM5 та понад 10-кратне збільшення щільності пам’яті, водночас забезпечуючи 3-кратну енергоефективність та зменшуючи теплове опір більш ніж удвічі.
Samsung не вдається в деталі технології, оскільки вона перебуває на ранній стадії розробки, але зазначає, що zHBM запропонує гнучкість для розробки користувацьких рішень. Samsung вже співпрацює зі своїми клієнтами для подальшої оптимізації інтеграції zHBM з ШІ-прискорювачами наступного покоління.
zNAND-O виводить зберігання даних за межі звичного
Друга технологія, представлена цього року, називається zNAND-O. Це високопродуктивне NAND-рішення наступного покоління, побудоване на базі V-NAND від Samsung.
Воно буде доступне у конфігураціях з 4 і 8 шарами та поєднуватиме високу ефективність використання простору, покращену продуктивність введення/виведення та низьку затримку. zNAND-O розроблено для прикордонних (edge) AI-додатків, хоча не уточнюється, чи є це багатошаровою технологією V-NAND, яка буде готова приблизно у 2030 році.
Виведення NAND за межі 400 шарів
І, нарешті, представляємо NAND-рішення Samsung наступного покоління під назвою V10 BV-NAND. Це буде перша архітектура V-NAND від Samsung з гібридним з’єднанням (hybrid bonding), яка виводить NAND за межі 400 шарів.
Зазначається, що завдяки BV-NAND, рішення Samsung V10 для зберігання даних запропонують вищу продуктивність та енергоефективність, одночасно значно підвищуючи щільність зберігання. Технологія полягає у використанні гібридного з’єднання для складання комірок пам’яті разом, замість створення однієї комірки з більш щільними шарами. Щільність пам’яті збільшується на 58% порівняно з V9 NAND, а також покращується продуктивність читання, запису та введення/виведення порівняно з попередніми поколіннями.
2 з 9
Варто зазначити, що Samsung вже планує досягти 1000+ шарів з використанням підходів гібридного з’єднання, і BV-NAND офіційно започаткувала цю тенденцію. У найближчі роки ми побачимо стрімке зростання ємності накопичувачів у портфелі SSD та сховищ Samsung, тоді як їхні рішення для пам’яті розвиватимуться швидкими темпами завдяки таким технологіям, як zHBM, HBM4E, HBM5, GDDR7 і не тільки.
Про автора: Хассан Муджтаба, за освітою інженер-програміст, а за покликанням – ентузіаст ПК, є старшим редактором розділу апаратного забезпечення Wccftech. Маючи багаторічний досвід у галузі, він спеціалізується на глибокому технічному аналізі процесорних архітектур наступного покоління, графічних процесорів, материнських плат та систем охолодження. Його робота включає не лише висвітлення новин про майбутні технології, але й розширені практичні огляди та тестування.
Слідкуйте за Wccftech на Google, щоб отримувати більше новин у своїй стрічці.
Пропозиція дня
Подальше читання
ByteDance заборонила співробітникам вивчати американські моделі ШІ, а Anthropic підтвердила розробку власного чипа для Claude
Рохайль Салім
Diablo IV вийде на Switch 2 у вересні за $69.99, а перша презентація очікується на Gamescom 2026
Алессіо Палумбо
Любитель знахідок з благодійного магазину придбав робочу RTX 3050 за ціну кави, тоді як рітейлери продають її за понад $200
Сарфраз Хан
ASUS та GIGABYTE, за повідомленнями, підвищили ціни на відеокарти на ~20% у Китаї, флагманські моделі коштують до $666
Сарфраз Хан
За матеріалами: wccftech.com