Micron анонсувала модуль пам’яті DDR5 обсягом 512 ГБ зі швидкістю 9200 МТ/с, який планує випустити на початку 2027 року. Компанії AMD та Intel вже тестують цю пам’ять для інтеграції в майбутні серверні платформи.
Досягнення такого обсягу стало можливим завдяки вертикальному розміщенню кристалів DRAM, з’єднаних через кремнієві перехідні отвори. Це дозволить серверу, оснащеному 24 такими модулями, отримати 12 ТБ пам’яті DDR5 без необхідності збільшення кількості слотів RDIMM.
Виробник зазначає значне зменшення енергоспоживання порівняно з використанням декількох менших модулів еквівалентного загального обсягу. Один RDIMM на 512 ГБ споживає 16 Вт, тоді як чотири модулі по 128 ГБ сумарно потребують 44,2 Вт (за даними тестів Micron), що означає зниження більш ніж на 60%.
Micron також повідомляє про збільшення продуктивності до 1,4 раза в аналітичних завданнях порівняно з конфігураціями, що використовують модулі 256 ГБ DDR5. Компанія очікує покращення роботи систем штучного інтелекту, баз даних, віртуалізації та інших завдань, які виграють від зберігання великих наборів даних безпосередньо в оперативній пам’яті.
Раніше Micron представила RDIMM DDR5 на 256 ГБ, виробництво яких розпочалося на початку поточного року. Ці модулі також підтримують швидкість до 9200 МТ/с і використовують 1-гамма DRAM від Micron з 3D-компонуванням. Вартість модуля на 512 ГБ компанія поки не оголошувала.
Джерело новини: mezha.ua