SK hynix активізувала розробку DRAM з 3D-компонуванням поверх логічного кристала (3D-Stacked DRAM-on-Logic), призначеної для роботи на обладнанні нового покоління для систем штучного інтелекту, зокрема мобільних. Компанія розпочала набір інженерів, які спеціалізуються на цій технології, через свій американський філіал у Сан-Хосе. SK hynix вже уклала угоду з конкретним клієнтом на розробку рішень на основі цієї технології, передає ZDNet.
Джерело зображення: skhynix.com
SK hynix вперше почала наймати фахівців з DRAM із 3D-компонуванням – вона буде використовуватися на ШІ-обладнанні нового покоління; цей крок розглядається як початок підготовки до виведення рішення на ринок. В оголошенні про вакансію уточнюється, що робота вестиметься в тісній співпраці з американським замовником з метою спільного створення кристалів 3D-Stacked DRAM-on-Logic, тобто з вертикальною інтеграцією DRAM безпосередньо поверх системи на кристалі. На відміну від компонування упакованих чипів (Package-on-Package — PoP), цей метод передбачає коротші міжз’єднання та більшу кількість каналів введення-виведення на тій самій площі. Знижується затримка передачі даних, підвищується енергоефективність та ефективніше використовується простір.
Технологія розробляється для систем ШІ — вони вимагають високої пропускної здатності пам’яті та низького споживання енергії, і можливостей традиційних схем PoP вже не вистачає. Однією з найбільш перспективних областей застосування технології вважаються мобільні процесори — у цьому сегменті часто використовуються передові техпроцеси та технології пакування. Провідними розробниками таких систем є Apple та Qualcomm.
Інформація про роботу над проєктом відповідає дорожній карті SK hynix, яку корейська компанія представила на технологічному симпозіумі TSMC цього року. Президент і директор з розвитку SK hynix Хьон Ан (Hyun Ahn) заявив, що розвитку ШІ-обладнання заважають недоліки технологій пам’яті — потрібні нові архітектури, вихід за межі поступових покращень. Корейська компанія, заявив він, спільно з TSMC має намір застосувати передові логічні процеси до базових кристалів HBM4, розширити рішення на високошвидкісну флеш-пам’ять (HBF), а також на схему 3D-компонування DRAM поверх логічного кристала: подальша інтеграція пам’яті з логікою сприятиме зростанню продуктивності та енергоефективності.
Samsung паралельно також веде дослідження в галузі 3D DRAM нового покоління. Нещодавно компанія опублікувала спільну статтю з imec, KU Leuven та Lam Research — матеріал присвячений архітектурі монолітної 3D DRAM з використанням каналів на оксидах напівпровідників. Дослідження поки залишається на стадії моделювання, про плани виводити технологію на ринок поки що не повідомляється.
Подробиці можна знайти на сайті: 3dnews.ru