Стратегічні інвестиції південнокорейських виробників пам’яті в китайські підприємства
Ще за часів президентства Байдена влада США намагалася обмежити спроможність південнокорейських виробників пам’яті модернізувати та розширювати свої підприємства на території Китаю, які видають основний обсяг продукції для світового ринку. Тим не менш, Samsung і SK hynix зуміли зберегти доступ до американського обладнання для випуску пам’яті, одночасно інвестуючи в модернізацію виробництва в Китаї.
Джерело зображення: Samsung Electronics
Інвестиційна активність Samsung Electronics у Сіані
Принаймні, як зазначає Business Korea, минулого року Samsung Electronics на модернізацію свого підприємства в китайському Сіані витратила $344 млн, що на 67,5 % більше за витрати попереднього року. Це підприємство є єдиним закордонним майданчиком Samsung із випуску мікросхем пам’яті NAND, причому воно забезпечує до 40 % обсягів виробництва продукції для світового ринку. Варто зазначити, що інвестиції в китайський завод Samsung не були регулярними: після вкладення $464 млн у 2019 році компанія протягом чотирьох років не підживлювала його суттєвими фінансовими ресурсами. У 2024 році компанія спрямувала на підтримку підприємства $184 млн, а минулого року збільшила суму одразу на 67,5 %.
Інвестиції SK hynix у китайські виробничі потужності
Конкуруюча SK hynix у свої китайські підприємства за підсумками минулого року вклала понад $663 млн, оскільки в Усі вона має завод із виробництва DRAM, а в Даляні їй від Intel дісталася фабрика з виробництва 3D NAND. Перший із майданчиків минулого року отримав подвоєні інвестиції в розмірі $190 млн, а другий – $293 млн, що в півтора рази більше за інвестиції 2024 року. Вперше з 2022 року, коли SK hynix купила в Intel підприємство в Даляні, цій компанії довелося вкладати у свою китайську виробничу базу понад $660 млн. У південнокорейській національній валюті ця сума становить психологічно важливе значення в 1 трлн вон. В умовах буму ШІ пам’ять стала дефіцитним товаром, тому домінуючі на ринку південнокорейські компанії активно нарощують її випуск.
Перспективи модернізації виробництва та технологічні тенденції
Samsung має намір налагодити випуск у Китаї більш прогресивної 236-шарової пам’яті 3D NAND замість попередньої 128-шарової. Якщо врахувати, що на батьківщині Samsung цього року планує налагодити випуск 400-шарової пам’яті, то відстаюча на пару кроків 236-шарова цілком може бути розміщена в Китаї з урахуванням політики стримування технологічного розвитку цієї країни. Підприємство SK hynix із виробництва DRAM в Усі також перейде з третього на четверте покоління 10-нм техпроцесу (1a), що дозволить вигідно виробляти тут мікросхеми DDR5. Це підприємство в Китаї забезпечує понад 30 % обсягів випуску DRAM компанії в світовому масштабі.
Головний підсумок від ІТ-Блогу: Південнокорейські виробники пам’яті Samsung та SK hynix продовжують значно інвестувати в модернізацію своїх китайських підприємств, незважаючи на політичний тиск США. Це дозволяє їм зберігати ключові позиції на світовому ринку та задовольняти зростаючий попит на пам’ять, зумовлений розвитком ШІ, одночасно адаптуючи виробничі потужності до технологічних обмежень.
За матеріалами: 3dnews.ru