Samsung Electronics вже не перший рік поспіль розвиває майданчик у південнокорейському Йонъїні, створюючи там кампус, що поєднує невеликі виробничі потужності та дослідницький центр. За інформацією ZDNet, друга черга цього кампусу може змінити цільове призначення, ставши майданчиком для контрактного виробництва 2-нм базових кристалів для стеків пам’яті HBM нового покоління, які затребувані Nvidia.
Як відомо, ще з переходом на HBM4 базові кристали в стеку пам’яті почнуть все сильніше адаптуватися під потреби конкретного замовника, і якщо SK hynix буде змушена орієнтуватися на послуги TSMC, то Samsung готова випускати їх самостійно. Другу чергу NRD-K кампусу в Йонъїні планується переорієнтувати з дослідницьких завдань на серійне виробництво замовних 2-нм чипів для пам’яті HBM нового покоління. Передбачається, що йдеться про пам’ять типу HBM5, яку Samsung також планує пропонувати Nvidia.
Запуск нової лінії кампусу в Йонъїні заплановано на другу половину 2028 року. Повний цикл обробки кремнієвих пластин буде неможливим на цьому майданчику через його скромні розміри, але деякі специфічні етапи техпроцесу тут будуть реалізовані. Базові кристали для HBM5 компанія має намір виробляти за 2-нм технологією з використанням структури транзисторів з оточуючим затвором (GAA). Окрім іншого, це дозволить самій пам’яті HBM5 досягти переваги у швидкодії над HBM4E у розмірі понад 50 %.
Рішення про перепрофілювання другої фази NRD-K поки що носить попередній характер, адже за два роки, що залишилися, Samsung може знайти цьому майданчику інше застосування з урахуванням швидкозмінної кон’юнктури ринку. Всього в Йонъїні Samsung має намір до 2030 року запустити три виробничі лінії, будівництво однієї вже було завершено наприкінці 2024 року. Підготовка до будівництва другої розпочалася цього року, зараз компанія визначається з її цільовим призначенням. Загальні витрати на будівництво кампусу сягнуть $14 млрд.
Оригінал статті: 3dnews.ru