Виробники пам’яті вже дивляться в більш далеке майбутнє, в якому HBM, що приростає числовими індексами, матимуть більш прогресивних наступників. Компанія Samsung Electronics збирається просувати пам’ять типу zHBM, яка обіцяє мати у вісім разів вищу швидкодію порівняно з HBM5. При цьому щільність зберігання даних виявиться більш ніж у 10 разів вищою.
Джерело зображення: Samsung Electronics
Енергетична ефективність zHBM буде втричі перевищувати HBM5, а теплове опір скоротиться більш ніж удвічі. Секрет високої швидкодії та високої енергетичної ефективності zHBM криється в технології об’єднання кількох кремнієвих пластин, яка дозволяє реалізувати десятки тисяч каналів передачі інформації в одному стеку. Ще одна перевага zHBM полягає в здатності монтажу стека пам’яті безпосередньо на графічний процесор (GPU). У сучасній компоновці пам’ять HBM різних поколінь розташовується на одній підкладці з GPU в горизонтальній площині. Крім того, zHBM підтримує інтеграцію кастомної логіки в стек пам’яті за запитом конкретного клієнта. Безпосередньо HBM5, за оцінками Samsung, повинна подвоїти пропускну здатність щодо HBM4E, але при цьому знизити теплове опір на 20% завдяки використанню прогресивної технології терморегулювання.
Для сегмента ШІ-обчислень призначена і пам’ять типу zNAND-O, яка базується на V-NAND. Вона влаштована таким чином, щоб мінімізувати затримки при передачі даних між сусідніми компонентами обчислювальних систем. Вперше Samsung представила концепцію Z-NAND у 2025 році, пообіцявши збільшення продуктивності в 15 разів і скорочення енергоспоживання на 80%. За попередніми оцінками, Z-NAND буде до чотирьох разів дорожчою за звичайну TLC NAND. В одному стеку об’єднуватимуться до чотирьох або восьми шарів пам’яті.
Принагідно на заході FMS 2026 у Каліфорнії Samsung Electronics розповіла про твердотільну пам’ять V10 BV-NAND з кількістю шарів понад 400 штук, яка використовує нову технологію формування міжшарових з’єднань. Вперше про технологію V-NAND компанія розповіла 13 років тому. Порівняно з поколінням V9, пам’ять V10 BV-NAND забезпечує збільшення щільності зберігання даних на 58%. Швидкості читання, запису та передачі інформації по інтерфейсу також збільшені порівняно з пам’яттю попереднього покоління. Зазначається, що пам’яттю типу V-NAND активно цікавиться Nvidia, а в поколінні V11 подібна пам’ять отримає 500 шарів.
Samsung нагадала, що почала постачати зразки HBM4E своїм клієнтам ще в травні цього року, а також першою почала масово випускати HBM4 з використанням 4-нм базового кристала та DRAM 10-нм класу (1c). Пам’ять типу HBM5 була показана на FMS 2026 у вигляді моделі. Заодно була продемонстрована пам’ять типу LPDDR5X-PIM, яка дозволяє частину обчислювальних операцій виконувати без передачі інформації до центрального процесора. Окрім підвищення швидкості обробки даних, таке рішення дозволяє знизити енергоспоживання.
Дізнатися більше на: 3dnews.ru