Смартфони нарешті отримають ШІ-прискорення: нова DRAM з HBM-дизайном здивує швидкістю та холодним функціонуванням

Смартфони нарешті отримають ШІ-прискорення: нова DRAM з HBM-дизайном здивує швидкістю та холодним функціонуванням 1

Компактність сучасних смартфонів створює серйозні виклики для впровадження High Bandwidth Memory (HBM), не кажучи вже про проблеми з перегрівом. Однак, згідно з чутками, китайські виробники смартфонів вже працюють над власним рішенням — Low Latency Wide DRAM (LLW). Ця технологія, хоч і не є “справжнім HBM”, використовує подібний інтегрований підхід і покликана подолати вузькі місця продуктивності, властиві звичайній LPDDR RAM. Очікується, що це призведе до значного зростання швидкодії при одночасному зниженні енергоспоживання.

Китайські гіганти Xiaomi та Huawei планують представити LLW у другій половині 2027 року

Свіжі чутки з китайської соціальної мережі Weibo, поширені інсайдером Fixed-focus digital cameras, свідчать, що у 2026 році не варто очікувати значних оновлень пам’яті для смартфонів. Натомість, друга половина 2027 року обіцяє бути значно цікавішою. Впровадження LLW має вирішити проблему обмежених можливостей бортового штучного інтелекту (AI) у смартфонах, які наразі пов’язані з відсутністю HBM.

За чутками, LLW забезпечує в 1,5 рази вищу продуктивність та на 50% менше енергоспоживання. Хоча не вказано, з яким саме стандартом пам’яті проводяться ці порівняння, ймовірно, мова йде про LPDDR5X. Поки що виробники чіпів можуть значно прискорювати процесори (NPUs) та накопичувачі, але саме інновації в сегменті DRAM є ключовими для досягнення справжнього потужного AI на пристрої.

Смартфони нарешті отримають ШІ-прискорення: нова DRAM з HBM-дизайном здивує швидкістю та холодним функціонуванням 2

Раніше вже ходили чутки про розробку Huawei HBM DRAM для смартфонів, а також про плани Apple щодо впровадження цієї технології в iPhone 20. Samsung, схоже, єдиний виробник, який активно працює над спеціалізованим HBM для мобільних пристроїв, використовуючи складні технології пакування. Однак, існують й інші шляхи покращення AI-можливостей смартфонів.

Qualcomm, за чутками, співпрацює з китайськими виробниками пам’яті над впровадженням 3D DRAM для своїх NPUs, що може кардинально змінити технології чіпсетів. Чи з’являться ці інновації вчасно – питання відкрите, але ми будемо тримати вас в курсі найсвіжіших новин.

Джерело новин: Fixed-focus digital cameras

Смартфони нарешті отримають ШІ-прискорення: нова DRAM з HBM-дизайном здивує швидкістю та холодним функціонуванням 3

Про автора: Омар Сохаїл – репортер і аналітик мобільного відділу Wccftech, що спеціалізується на технологіях та бізнесі мобільної індустрії. Його експертиза охоплює складні ланцюжки поставок, виробництво напівпровідників, літографію чіпів та технології сенсорів камер.

Слідкуйте за Wccftech на Google, щоб отримувати більше новин у своїх стрічках.

Читайте також

Смартфони нарешті отримають ШІ-прискорення: нова DRAM з HBM-дизайном здивує швидкістю та холодним функціонуванням 4

Aletheia попереджає: ціни на HBM подвояться у 2027 році, пам’ять стає критично важливою для AI

Раміш Зафар Смартфони нарешті отримають ШІ-прискорення: нова DRAM з HBM-дизайном здивує швидкістю та холодним функціонуванням 5

AMD робить ставку на технологію прогнозування пам’яті MEXT для зниження TCO дата-центрів, поки конкуренти гарячково шукають DRAM

Хассан Муджтаба Смартфони нарешті отримають ШІ-прискорення: нова DRAM з HBM-дизайном здивує швидкістю та холодним функціонуванням 6

Силові напівпровідники для AI-дата-центрів можуть стати наступним “золотим дном” рівня DRAM, Південна Корея інвестує $329 мільйонів у R&D

Омар Сохаїл Смартфони нарешті отримають ШІ-прискорення: нова DRAM з HBM-дизайном здивує швидкістю та холодним функціонуванням 7

Голова MSI попереджає: дефіцит пам’яті та GPU триватиме до 2026 року, але постачання CPU покращиться до 3 кварталу

Хассан Муджтаба Смартфони нарешті отримають ШІ-прискорення: нова DRAM з HBM-дизайном здивує швидкістю та холодним функціонуванням 8

Думка ІТ-Блогу: Впровадження LLW може стати справжнім проривом для мобільних пристроїв, особливо в галузі AI. Хоча це ще не “справжній HBM”, заявлені показники продуктивності та енергоефективності виглядають надзвичайно перспективно. Якщо чутки підтвердяться, це буде значний крок вперед, а не просто незначне оновлення. Варто зачекати на перші пристрої з цією технологією, оскільки вони можуть задати новий стандарт для майбутніх флагманів.

Інформація підготовлена на основі матеріалів: wccftech.com

Залишити відповідь

Ваша e-mail адреса не оприлюднюватиметься. Обов’язкові поля позначені *