Samsung зробив штучний інтелект на пристроях значно практичнішим, представивши нове покоління сховища UFS 5.0. Швидкість читання та запису сягає неймовірних показників, перевищуючи вдвічі попередній стандарт UFS 4.1.
Samsung UFS 5.0: Швидкість, що змінює правила гри
Нове сховище від Samsung інтегрує найновіший стандарт інтерфейсу вбудованої пам’яті від JEDEC, досягаючи безпрецедентної продуктивності. Йдеться про максимальну пропускну здатність до 10.8 ГБ/с. Південнокорейський технологічний гігант стверджує, що UFS 5.0 забезпечує швидкість послідовного читання до 10.8 ГБ/с та запису до 9.5 ГБ/с. Це, відповідно, більш ніж удвічі швидше за попередній стандарт UFS 4.1.
AI на пристроях стає реальністю
Така пропускна здатність відкриває двері до значно швидшої обробки великих обсягів даних, дозволяючи локальним AI-моделям вийти на новий рівень. Але це ще не все! Samsung заявляє, що UFS 5.0 приблизно на 40% енергоефективніший за UFS 4.1. Цього вдалося досягти завдяки новим інноваціям, таким як “clock gating” та багатовольтовим технологіям. Крім того, Samsung вдалося упакувати це передове сховище у надкомпактний форм-фактор розміром лише 7.5 мм x 13 мм x 0.9 мм, що на 16.7% менше за попередника. Масове виробництво накопичувачів об’ємом до 1 ТБ заплановано на четвертий квартал 2026 року.
Both SM8975 and SM8950 will support UFS 5.0 (Gear 6 2 Lanes) https://t.co/MbNdDzNaj8
— Reptalica (@Reptalicant) June 22, 2026
Тим часом, інсайдер Reptalica повідомив, що чіпи Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro (SM8975) та Snapdragon 8 Elite Gen 6 (SM8950) будуть підтримувати сховище Samsung UFS 5.0. Цілком імовірно, що цей стандарт також з’явиться у MediaTek Dimensity 9600 Pro та власному чіпі Samsung Exynos 2700. 
Про автора: Письмо – моя незаперечна пристрасть. За останні шість років я написав понад 2200 статей на фінансові та технологічні теми, загальним обсягом майже 1 мільйон слів. Я є частиною команди Wccftech Mobile з 2025 року. Як випускник Університету Торонто (програма Rotman Commerce), я привношу глибину, ґрунтовні знання та унікальну перспективу до кожної теми, яку висвітлюю. Коли я не пишу, я подорожую світом, досліджуючи приховані кондитерські та ресторани як амбітний гурман.
Слідкуйте за Wccftech на Google, щоб отримувати більше новин у своїх стрічках.
Ще про схожі теми:
Lenovo попереджає: високі ціни на пам’ять – це «нова норма» до 2030 року, DRAM та NAND можуть ніколи не повернутися до рівня початку 2025 року
Хассан Муджтаба 
Samsung з’єднує дві 450-шарові NAND-комірки в один чип, прагнучи до 1000-шарових SSD, що подвоюють ємність до 2030 року
Хассан Муджтаба 
Після отримання значних прибутків від HBM, SK Hynix тепер планує пріоритезувати виробництво DDR5 «DRAM загального призначення»
Хассан Муджтаба 
Samsung дає вам ще одну причину чекати на Galaxy S27 Pro: тестується функція класу “Ultra”
Омар Сохаїл
Думка ІТ-Блогу: UFS 5.0 — це не просто еволюція, а справжня революція у швидкості сховищ для мобільних пристроїв. Потенціал для AI на пристроях та загального прискорення роботи смартфонів просто величезний. Якщо ви плануєте оновлення у 2026-2027 роках, ця технологія — вагома причина зачекати, особливо з огляду на перші чутки про її інтеграцію у наступні покоління флагманських чіпів.
Джерело новини: wccftech.com