Досягнення в передовій літографії та процесах виробництва нового покоління зробили чипсет смартфона найдорожчим компонентом цих мобільних пристроїв. Однак з появою буму штучного інтелекту ситуація змінилася. За останніми оцінками, пара DRAM і NAND-флеш стала дорожчою на 340% і коштує більше, ніж топовий SoC.
Комбінація 12 ГБ оперативної пам’яті + 256 ГБ NAND-флеш коштує приблизно 310 доларів, тому виробники смартфонів стикатимуться з величезними труднощами для отримання вищої маржі
Попри те, що SoC смартфонів цього року переходять на 2-нм процес TSMC “N2” та “N2P”, починаючи з Apple A20 Pro, вони все одно не будуть такими дорогими, як DRAM і сховище даних у телефонах, за даними Digital Chat Station з Weibo. Минулого року, за даними чуток, 12 ГБ оперативної пам’яті та 256 ГБ NAND-флеш коштували виробникам 70 доларів. Тепер, у третьому кварталі 2026 року, ці ціни зросли до 2200 юанів, або 310 доларів.
Варто пам’ятати, що йдеться лише про комбінацію 12 ГБ + 256 ГБ. Якщо виробники смартфонів оберуть варіанти 16 ГБ + 256 ГБ або 16 ГБ + 512 ГБ, це призведе до значного зростання загальної вартості матеріалів (BOM), змушуючи різні компанії впроваджувати суттєві підвищення цін. Це одна з причин, чому деякі новітні моделі Google Pixel 11 Pro не тільки постачаються з 12 ГБ оперативної пам’яті замість 16 ГБ, але й дорожчі за Pixel 10 Pro.
Порівняно, преміальні чіпсети для смартфонів також стали дорожчими, але не настільки, як пам’ять і сховище. Інсайдер зазначає, що SoC коштують близько 2000 юанів, або 280 доларів, стаючи другим найдорожчим компонентом. На відміну від Apple, яка виробляє власні чипи, виробники Android-смартфонів повинні платити компаніям, таким як Qualcomm і MediaTek, премію за використання їхніх чіпів, тим самим граючи в програшну гру щодо витрат.
Apple не зобов’язана купувати у Qualcomm, MediaTek чи Samsung, оскільки сама розробляє свої чіпсети, а TSMC масово виробляє остаточний дизайн і постачає його партіями. Такий підхід дав купертинівському гігантові перевагу в індустрії смартфонів, але й він не застрахований від дефіциту DRAM. Що стосується подальшого зростання цін, очікується, що вартість пам’яті та сховищ продовжить стрімко зростати у 2028 році, але термін придатності цієї всієї саги може настати десь у 2029 році.
Про автора: Омар Сохель – репортер і аналітик мобільного відділу Wccftech, який спеціалізується на технологіях та бізнесі мобільної індустрії. Його експертиза полягає у складних ланцюжках поставок апаратного забезпечення, охоплюючи розробки у виробництві напівпровідників, літографії чіпів та технології сенсорів камер.
Подальше читання
CXMT замінює кремній на гафній у своїх DRAM-транзисторах, відкриваючи шлях до вузла 1a і далі, оскільки її потужності досягнуть 800 000 пластин на місяць до 2031 року
Samsung використовує передові логічні процеси для розвитку HBM, розробляючи наступне покоління zHBM DRAM, яке 3D-складає пам’ять поверх обчислень
CXMT зайняла 11,3% зростання DRAM у 2026 році, але аналітики кажуть, що імпульс Китаю впаде до 6,9% до 2027 року
Morgan Stanley б’є на сполох: ціни на DDR4 зростуть на 50% у третьому кварталі, оскільки виробники пам’яті обмежують постачання старих DRAM, щоб забезпечити HBM
Джерело новини: wccftech.com