## Розробка “Bonding DRAM” на наявному обладнанні DUV може вивести CXMT на новий рівень, оскільки пам’ять високої щільності зацікавить Apple Apple активно працює над тим, щоб залучити CXMT до своєї ланцюжка постачань як партнера з виробництва DRAM. Основна мета — зменшити ризик дефіциту, а не шукати конкурентні ціни, адже прогнозується, що до наступного року дата-центри зі штучним інтелектом споживатимуть понад 60% усієї пам’яті. Водночас, поки Apple намагається зберігати добрі стосунки з адміністрацією Трампа, з’являється нова інформація про розробку CXMT: компанія досліджує новий тип DRAM, який максимізує продуктивність і місткість, використовуючи при цьому застаріле DUV обладнання. Згідно з новим звітом Korea Economic Daily, CXMT експериментує з технологією W2W (Wafer-to-Wafer) Hybrid Bonding. Вона замінює традиційні мікроз’єднання, дозволяючи з’єднувати дві пластини кремнію, що пройшли точне вирівнювання, і зливати їх. Цей процес, відомий як “bonding DRAM”, зараз тестується на пілотній лінії в Хефеї, Китай, з головною метою — масове виробництво пам’яті високої щільності. Ще одна важлива складова у виробництві bonding DRAM — це розділення масиву комірок пам’яті та периферійних логічних схем керування. Розміщуючи ці компоненти на різних пластинах, їх можна виготовляти за допомогою різних процесів, що забезпечує оптимізацію. Описані вище два ключові прориви дозволяють відмовитися від традиційних мікроз’єднань, які займають зайвий фізичний простір, збільшують затримки та паразитарний електричний опір. Пам’ять DRAM високої щільності забезпечує вищу швидкість передачі даних, споживає менше енергії завдяки скороченню довжини провідників, і все це — без збільшення горизонтального розміру чіпа. В результаті, bonding DRAM звільнить цінний простір на материнській платі iPhone, даючи Apple трохи більше можливостей для інтеграції інших компонентів, що покращать користувацький досвід. Оскільки технологічний розвиток Китаю обмежується санкціями США, спеціалізоване EUV обладнання їм точно не дістанеться. На щастя, CXMT не потребуватиме такого неймовірно дорогого оснащення. Важливим є те, що поки Samsung і SK hynix контролюють більшу частину світового ринку DRAM, Китай, завдяки своїм 119 патентам, може суттєво скоротити відстань у найближчі 3-5 років, принаймні, згідно зі звітом. ## Партнерство Apple та CXMT може сформуватися у слушний час Враховуючи, що виробник iPhone часто “бронює” найновіші пластини TSMC, Apple може застосувати подібну практику і з CXMT, отримавши доступ до DRAM високої щільності раніше за конкурентів, завдяки своїй масовості. Якщо каліфорнійський гігант розмістить достатньо велике замовлення, у CXMT буде небагато вибору, окрім як погодитися, адже це потенційно найприбутковіший клієнт. Залишається лише отримати “зелене світло” від адміністрації Трампа, і тоді Apple та CXMT зможуть розпочати плідне партнерство. Звісно, не варто надто випереджати події: китайський виробник ще перебуває на стадії досліджень і розробок, а це означає, що до масового виробництва цієї високощільної DRAM можуть пройти роки. Існує також ймовірність, що технологія не відповідатиме суворим вимогам якості Apple і буде повністю відхилена. Коротко кажучи, існує безліч неврахованих змінних, тому найкращою стратегією буде зробити крок назад, перевести подих і дочекатися фактичного формування партнерства між цими компаніями. Джерело новин: Korea Economic Daily 
Про автора: Омар Сохайла – репортер та аналітик мобільного відділу Wccftech, який спеціалізується на технологіях та бізнесі мобільної індустрії. Його експертиза охоплює складний ланцюжок постачання апаратного забезпечення, висвітлюючи розробки у виробництві напівпровідників, літографії чіпів та технології сенсорів камер.
Слідкуйте за Wccftech на Google, щоб отримувати більше новин у стрічці.
Подальше читання
A20 Pro не порушить давню традицію Apple; підтримки LPDDR6 RAM не буде, але буде швидша шестиканальна пам’ять зі збільшеною пропускною здатністю для завдань ШІ
Omar Sohail
Apple розпочинає тестування DRAM від CXMT напередодні можливого торгу з Samsung, SK hynix та Micron
Rohail Saleem
MSI розблокувала китайську пам’ять CXMT на платах AM5, розганяючи вітчизняну DDR5 з 6800 до 8200 MT/s
Hassan Mujtaba
Lexar перевищив бар’єр 6000 MT/s і випустив комплекти DDR5 на базі CXMT зі швидкістю до 7600 MT/s
Sarfraz Khan
Думка ІТ-Блогу: Це скоріше обережний крок у бік диверсифікації постачальників, ніж революція. Хоча технологія bonding DRAM виглядає перспективно, до її масового впровадження ще далеко, а ризики, пов’язані з якістю та політикою, залишаються значними. Тому, можливо, варто зачекати, перш ніж повністю покладатися на цей потенційний альянс.
Дізнатися більше на: wccftech.com