Intel ZAM: Новий претендент на трон пам’яті для ШІ, що кидає виклик HBM
Пам’ять Z-Angle Memory (ZAM) від Intel наближається до завершення, готуючись штурмувати ринок ШІ та кинути виклик HBM як життєздатній альтернативі. ZAM має потенціал стати справжнім проривом у сегменті високошвидкісної та високоємнісної пам’яті, пропонуючи вдвічі більшу пропускну здатність порівняно з HBM4.
Технічні характеристики та особливості Intel ZAM
Z-Angle Memory, або ZAM, викликає чималий ажіотаж у світі пам’яті. Новий стандарт пам’яті, що розробляється Intel спільно з SoftBank, має на меті запропонувати енергоефективну заміну HBM з високою щільністю. Нові деталі розкривають вражаючі можливості ZAM:
- Пропускна здатність: Очікується, що ZAM запропонує вдвічі більшу пропускну здатність, ніж HBM4, і навіть конкуруватиме з HBM4E, вихід якого заплановано на наступний рік.
- Терміни виходу: Сам стандарт ZAM націлений на 2028-2030 роки, тож до масового виробництва ще далеко.
- Архітектура: На VLSI Symposium 2026 Intel та дочірня компанія SoftBank SAIMEMORY представить нові деталі. За попередніми даними, ZAM демонструється з 9-шаровою конструкцією. Кожен стек містить вісім DRAM-стеків, розділених 3-мікронним кремнієвим субстратом. Головний субстрат має один логічний контролер, який обслуговує всі дев’ять DRAM-стеків.
- TSV та гібридне з’єднання: Три основні TSV-шари, кожен з яких містить 13.7 тис. шляхів з’єднання Through-Silicon-Vias, що використовують гібридне з’єднання.
- Ємність: Кожен шар пропонує 1.125 ГБ, що дає 10 ГБ на стек або 30 ГБ на весь пакет.
- Розміри: Стек ZAM має площу 171 мм² (15.4 x 11.1 мм).
- Пропускна здатність на мм²: 0.25 Тбіт/с на мм², що еквівалентно 5.3 ТБ/с на стек.
Переваги ZAM над HBM
Наразі HBM є основним вибором для високопродуктивних ШІ-акселераторів та GPU. Однак зі збільшенням масштабу HBM виникають структурні проблеми, зокрема підвищення температури та споживання енергії. ZAM вирішує ці проблеми за трьома ключовими напрямками: висока щільність, широка смуга пропускання та нижче енергоспоживання. Структурні особливості ZAM дозволяють вертикальне компонування, що сприяє розсіюванню тепла без необхідності проходити через шари розводки.
- Вища щільність пропускної здатності: ~0.25 Тбіт/с/мм² (порівняно нижче у HBM).
- Нижче енергоспоживання: Оптимізовано для низького споживання енергії при передачі даних.
- Переваги у розсіюванні тепла: Вертикальна архітектура забезпечує краще теплове управління (HBM страждає від накопичення тепла через шари розводки).
- Надзвичайно високе стекерування: Підтримка 9+ шарів з надтонким 3-мікронним кремнієм на стек і TSV via-in-one.
- Інноваційні технології: Бездротовий I/O, що зв’язується магнітним полем + передові методи з’єднання для масштабованості.
- Оптимізовано для ШІ: Вирішує структурні обмеження HBM для генеративних ШІ-навантажень.
Кінцева мета ZAM — досягти щільної 3D-структури пам’яті за допомогою технології 3.5D-пакування, яка розміщує вертикальні та горизонтальні шари, включаючи високошвидкісний, великооб’ємний стек пам’яті, шини живлення/землі, кремнієву фотоніку та застарілі IO, все на одному субстраті. ZAM виглядає надзвичайно перспективним, і ми з нетерпінням чекаємо на першу демонстрацію в реальному часі. Однак, щоб ZAM визнали справді конкурентоспроможним рішенням проти HBM, воно потребує реального застосування, і найкращий час для цього – коли ринки ШІ набирають повних обертів.
Чи варто купувати? (Порада ІТ-Блогу): ZAM виглядає як серйозний конкурент HBM, особливо завдяки своїм перевагам у швидкості, енергоефективності та охолодженні, що є критично важливим для ШІ. Якщо заявлені характеристики будуть досягнуті, і технологія вийде на ринок за конкурентною ціною, вона може суттєво змінити ландшафт пам’яті для високопродуктивних обчислень.
Оригінал статті: wccftech.com