Компанія SK Hynix розпочала зразкове постачання своєї наступної пам’яті HBM4E, яка пропонує швидкість до 16 Гбіт/с та обсяг 48 ГБ.
SK Hynix випереджає Samsung у тестуванні перших модулів DRAM HBM4E для рішень ШІ наступного покоління
Прискорення розвитку штучного інтелекту спонукає виробників DRAM прискорювати свої плани розробки. Таким чином, SK Hynix змагається зі своїм конкурентом Samsung у постачанні перших рішень пам’яті HBM4E партнерам, які використовуватимуть її для живлення своїх дата-центрів наступного покоління.
Пам’ять HBM4E відіграватиме вирішальну роль для дата-центрів наступного покоління, оскільки вона буде живити деякі потужні чіпи, такі як NVIDIA Rubin Ultra та AMD Instinct MI500. Ці дві чіпові платформи, як очікується, генеруватимуть значні доходи в сегменті ШІ, і виробники DRAM активно їх підтримують.
Тестування від SK Hynix розпочалося всього через кілька тижнів після виставки Computex 2026, де компанія представила ту ж пам’ять HBM4E з обсягом до 48 ГБ та швидкістю до 16 Гбіт/с. Samsung також була присутня на виставці, демонструючи свої технології HBM4E та HBM5 з HPB (Heat Path Block).
| Специфікація / Характеристика | HBM4E (48GB, 12-Hi) | HBM4 (Пікова специфікація, 48GB, 16-Hi) | HBM3E (36GB, 12-Hi) |
|---|---|---|---|
| Обсяг | 48 ГБ | 48 ГБ | 36 ГБ |
| Висота стека | 12 шарів | 16 шарів | 12 шарів |
| Щільність кристала | Покращення у 1.5 рази | +33% на кристал ядра | — |
| Пропускна здатність (на контакт) | 3.2 Гбіт/с (+50%) | До 16 Гбіт/с | 1.2 Гбіт/с (+20%) |
| Пропускна здатність пам’яті | 1.5 ТБ/с | Вище (для робочих навантажень ШІ) | 1.2 ТБ/с |
| Канали вводу/виводу | x1024 | x2048 | x1024 |
| Напруга | 1.2 В | 1.2 В | 1.2 В |
| Ефективність | Збільшення щільності у 1.5 рази | +40% енергоефективності | +10% енергоефективності |
| Технологічний вузол | — | TSMC N3E | — |
Прес-реліз: Сьогодні SK hynix оголосила, що відправила зразки HBM4E, DRAM наступного покоління для ШІ, великим клієнтам.
«Компанія змогла своєчасно доставити зразки 12-шарової HBM4E завдяки своєму передовому досвіду розробки та виробництва HBM», — заявив представник SK Hynix, додавши: «Ми будемо тісно співпрацювати з партнерами для своєчасного масового виробництва».
12-шарова HBM4E демонструє покращення як продуктивності, так і енергоефективності. Продукт має максимальну швидкість обробки даних 16 Гбіт/с на контакт та енергоефективність, яка на 20% вища порівняно з попередніми моделями. Ці вдосконалення покращують можливості обробки даних для тренування та виведення моделей ШІ.
HBM4E зменшує затримку передачі даних завдяки своєму найсучаснішому інтерфейсу та оптимізації дизайну, одночасно підтримуючи стабільну роботу в умовах високої пропускної здатності. Це дозволяє клієнтам підвищити ефективність обробки даних для дата-центрів ШІ та великомасштабних обчислювальних систем.
SK Hynix використовує технологію Advanced MR-MUF для продуктів HBM4E, щоб досягти обсягу 48 ГБ у 12-шаровому стеку, забезпечуючи структурну стабільність. Зокрема, компанія також покращила термостійкість на 17% порівняно з попередньою HBM4, що забезпечує стабільну роботу мікросхем пам’яті в середовищах високопродуктивних обчислень.
SK Hynix успішно постачає оптимізовані рішення пам’яті клієнтам, спираючись на свій досвід масового виробництва та постачання HBM3, HBM3E та HBM4. Використовуючи перевірену на ринку надійність продукції та можливості постачання, компанія підтримуватиме розробку інфраструктури наступного покоління, допомагаючи вирішувати вузькі місця в системах ШІ.
Про автора: Хасан Муджтаба, інженер-програміст за освітою та ентузіаст ПК за покликанням, є старшим редактором відділу апаратного забезпечення Wccftech. Маючи багаторічний досвід роботи в галузі, він спеціалізується на глибокому технічному аналізі процесорів та графічних процесорів наступного покоління, материнських плат та систем охолодження. Його робота включає не лише висвітлення майбутніх технологій, але й обширні практичні огляди та тестування.
Слідкуйте за Wccftech на Google, щоб отримувати більше новин у своїх стрічках.
Подальше читання
Шахраї тепер продають підроблені відеокарти NVIDIA RTX з приклеєними пластиковими GPU та старою пам’яттю
Хасан Муджтаба
Дивовижні чутки, пов’язані з Сундаром Пічаї, припускають, що Google «оцінює» закупівлю чіпів пам’яті у китайської компанії CXMT
Рохайль Салім
Samsung націлюється на кінець 2027 року для масового виробництва 1D DRAM, випереджаючи розробку пам’яті HBM5 для ШІ
Раміш Зафар
Unreal Engine 5.8 отримує Lumen Lite для забезпечення 60 FPS на Switch 2, тоді як робота над UE6 триває
Франческо Де Мео
Джерело новини: wccftech.com