Південнокорейська компанія Samsung планує впровадити літографію з високою числовою апертурою (High NA) в ультрафіолетовому діапазоні (EUV) на своїх виробничих потужностях для створення чипів за техпроцесом 1 нанометр. Про це повідомив віцепрезидент Samsung Electronics із технологій ЧангМін Парк, додавши, що компанія використовуватиме новітні літографічні машини для масового виробництва цих чипів. Масове виробництво може розпочатися вже у 2030 році. Директор розповів деталі на конференції в Кореї.
Віцепрезидент Samsung: застосування High NA затримується через брак доопрацювань
Під час розвитку напівпровідникової промисловості зменшення розміру елементів створює певні обмеження. Зменшення розміру схем залежить від довжини хвилі світла. Коли виробники чипів прагнуть до зменшення розмірів, вони стикаються з фундаментальним обмеженням, яке неможливо подолати без зменшення довжини хвилі. Однак числова апертура лінзової системи, що використовується в обладнанні, допомагає виробникам, оскільки вища апертура дозволяє їм зменшувати розміри створюваних схем.
Типові EUV-машини обмежені довжиною хвилі світла 13,5 нанометрів, але лінзи з вищою апертурою дозволяють виробникам створювати менші схеми. Це стає важливим під час планування виробництва наступних поколінь напівпровідникових технологій, таких як 1-нанометрові вузли, які зазвичай вимірюються в ангстремах (1 ангстрем = 0,1 нанометра).
Хоча машини High NA EUV від ASML із числовою апертурою 0,55NA почали постачатися кілька років тому, їх впровадження, схоже, знову затримується. Першим сигналом стало повідомлення від TSMC: минулого року з’явилася інформація, що тайванська компанія розглядає альтернативи, як-от фотошаблони без покриття (photomask pellicless), для виробництва більш передових чипів замість використання машин High NA EUV.
Аналогічно, віцепрезидент Samsung Electronics із технологій ЧангМін Парк заявив у Кореї, що його компанія використовуватиме машини High NA EUV для технологій, починаючи з 1-нанометрового техпроцесу. Парк зробив ці заяви на конференції 2026 Next-Generation Lithography + Patterning Conference і зазначив, що компанія розраховувала використовувати ці машини для масового виробництва чипів за техпроцесами 2 нм та 1,4 нм.
Він додав, що Samsung вважає, що ці машини стануть необхідними для вузлів, починаючи з A10 (1 нм) і для майбутніх вузлів. Машини High NA EUV, завдяки можливості створювати менші схеми, дозволяють наносити малюнок за один етап. Без вищої апертури традиційні EUV-машини з низькою апертурою вимагають багаторазового нанесення малюнка (multi-patterning), що збільшує витрати, складність і дефекти кінцевого продукту.
Про автора: Раміш — досвідчений технічний журналіст та редактор з більш ніж десятирічним досвідом. Він спеціалізується на аналізі виробництва напівпровідників та ринку. Маючи освіту у сфері фінансів та управління ланцюгами поставок (ступінь бакалавра фінансів та мікромагістерський курс з управління ланцюгами поставок від MIT), Раміш поєднує фінансову точність із глибоким галузевим аналізом для надання точного та авторитетного висвітлення.
За даними порталу: wccftech.com