TSMC залишається беззаперечним лідером на глобальному ринку напівпровідників, постійно вдосконалюючи свої технології літографії та передової упаковки. Samsung, хоч і має значний шлях для подолання, активно працює над цим, зміцнюючи партнерські відносини. Нещодавня угода на суму 200 мільярдів доларів із Broadcom, укладена на наступні п’ять років, має на меті побудову інфраструктури штучного інтелекту нового покоління.
Ключові переваги угоди: 2-нм техпроцес Samsung та пам’ять HBM4 для AI-прискорювачів Broadcom
Враховуючи, що пам’ять та зберігання даних вже стали основними джерелами доходу для таких компаній, як Samsung, SK Hynix, Micron та інших, домінування корейського гіганта в цій сфері привело до важливої угоди з Broadcom. Компанії підписали меморандум про взаєморозуміння (MOU), який охоплюватиме ринок ASIC. Broadcom використовуватиме пам’ять HBM4 від Samsung у своїх AI-прискорювачах.
Для подальшого зміцнення партнерства, Samsung планує розпочати виробництво наступного покоління пам’яті HBM4E, що підвищить конкурентоспроможність. Щодо 2-нм GAA-вузла, Samsung застосує свою літографію до ключових продуктів Broadcom, зокрема до чіпів високошвидкісної передачі даних. Варто зазначити, що ця багатомільярдна угода виходить за рамки простого контракту, адже участь Samsung допоможе скоротити час розробки та виведення на ринок чіпів Broadcom.
Samsung візьме на себе повний супровід Broadcom – від проєктування та оптимізації до пакування та масового виробництва. Саме в цьому полягає основна цінність для Samsung та джерело значної частини доходу. Хоча 2-нм техпроцес TSMC вже приніс 3% доходу компанії в третьому кварталі 2026 року, виробничі потужності Samsung пропонують не лише новітні процеси, але й широкий спектр рішень DRAM та зберігання даних. Це надає виробнику значну перевагу, забезпечуючи гнучкість для клієнтів.
Основна перевага TSMC полягає в її моделі чистого контрактного виробника (pure-play foundry), яка не могла б запропонувати Broadcom таку ж інтегровану динаміку. Поєднання 2-нм техпроцесу Samsung та виробництва DRAM 1c дає можливість спільної оптимізації фізичного дизайну чіпа, розподілу живлення та теплових характеристик. Для досягнення подібних переваг TSMC довелося б співпрацювати з зовнішніми постачальниками пам’яті, що призвело б до складнощів та ризиків інтеграції.
Хоча наявність кількох постачальників завжди є вигідною, партнерство Broadcom із Samsung мінімізує вузькі місця в ланцюжку постачання та скорочує терміни виготовлення чіпів, прискорюючи їх вихід на ринок.
Джерело: Samsung Newsroom
Про автора: Омар Сохаїл – репортер і аналітик мобільного відділу Wccftech, який спеціалізується на технологіях та бізнесі мобільної індустрії. Його експертиза охоплює складний ланцюжок постачання обладнання, зокрема виробництво напівпровідників, літографію мікросхем та технології сенсорів камери.
Слідкуйте за Wccftech на Google, щоб отримувати більше новин у вашій стрічці.
Подальше читання
Intel Foundry Укладає Угоду на Пакування та Вафлі з NVIDIA для Виробництва GPU Feynman Нового Покоління, Що Може Стати Її Найбільшим Клієнтським Успіхом
Хассан Муджтаба
Історія Перегріву Чіпа Exynos Могла б Перерости в Колосальну Катастрофу, Якби Один зі Смартфонів Samsung Galaxy Z не Попередив Власника
Омар Сохаїл
GPU NVIDIA Rubin Забезпечують 10-кратне Збільшення Продуктивності Agentic AI Порівняно з Blackwell, Оскільки Архітектура Повністю Розкрито, Маючи 336 мільярдів Транзисторів
Хассан Муджтаба
Samsung Відкладає Гібридне З’єднання HBM до 2029 Року, Узгоджуючи Пам’ять Нового Покоління з AI GPU NVIDIA Feynman
Раміш Зафар
Оригінал статті: wccftech.com