Micron продемонструвала перший у світі модуль DDR5 об’ємом 512 ГБ, який досягає швидкості до 9200 МТ/с, що відкриває шлях для серверів нового покоління.
Попит з боку ШІ стимулює виробників пам’яті до створення щільніших модулів DDR5: Micron представляє 512 ГБ та 9200 МТ/с
Агентний штучний інтелект (AI) та вимогливі до пам’яті робочі процеси вивели потреби в DRAM на новий рівень, тому виробники пам’яті, такі як Micron, активно працюють над технологіями нового покоління для задоволення цього попиту.
Найновіший продукт Micron створений для задоволення цих вимог, вміщуючи до 512 ГБ пам’яті DRAM та досягаючи швидкості до 9200 МТ/с, що робить його найщільнішим і найшвидшим рішенням для корпоративних клієнтів на сьогодні. Модуль пам’яті використовує передове рішення Micron для вертикального міжз’єднання, яке вертикально складає DRAM-чіпи та з’єднує їх через TSV (Through-Silicon Vias). Завдяки цьому серверні платформи для центрів обробки даних можуть отримати до 12 ТБ пам’яті DDR5 в одному сервері з 24 слотами та двома процесорами.
Прес-реліз: Micron Technology сьогодні оголосила про досягнення важливого етапу в інноваціях пам’яті – успішну демонстрацію першого у світі модуля DDR5 об’ємом 512 ГБ на численних серверних платформах. Це досягнення підтверджує лідерство Micron у сфері високопродуктивної серверної пам’яті великої місткості та надає корпоративним центрам обробки даних і хмарним клієнтам можливість ефективно підтримувати великі та вимогливі робочі навантаження AI, аналітики, in-memory баз даних та складних симуляцій. Провідні постачальники напівпровідникових рішень, AMD та Intel, активно тестують модуль, який забезпечуватиме швидкість до 9200 МТ/с.
Висока місткість модуля стала можливою завдяки передовим інноваціям Micron у галузі вертикального міжз’єднання. Цей продукт вертикально складає DRAM-чіпи, з’єднані через TSV, щоб максимізувати щільність в окремих пакетах DRAM, зберігаючи при цьому продуктивність, необхідну для сучасних архітектур центрів обробки даних. Модуль дозволяє розмістити до 12 ТБ пам’яті DDR5 DRAM в одному сервері з 24 слотами та двома процесорами.
«Micron продовжує задавати темп розвитку технологій пам’яті, пропонуючи новий клас ультращільної, високопродуктивної серверної пам’яті, яка допомагає клієнтам тримати більші набори даних ближче до обчислювальних модулів, які їх потребують», – сказав Радж Нарасімхан, старший віце-президент та генеральний менеджер підрозділу Cloud Memory Business Unit в Micron. «RDIMM об’ємом 512 ГБ дозволяє створювати сервери з мультитерабайтами пам’яті, підтримуючи більші робочі навантаження AI та баз даних, збільшуючи щільність віртуалізації та покращуючи енергоефективність, і все це в межах існуючих форм-факторів серверів».
Валідація від партнерів екосистеми
Micron тісно співпрацює з провідними постачальниками рішень для перевірки 512 ГБ DDR5 RDIMM на серверних платформах нового покоління, забезпечуючи широку сумісність та простий шлях до розгортання.
«Рішення AMD продовжують підвищувати продуктивність, масштабованість та ефективність центрів обробки даних, оскільки робочі навантаження AI та інтенсивні дані змінюють вимоги до інфраструктури», – сказав Аміт Гоел, корпоративний віце-президент з питань обчислень та корпоративних AI-платформних рішень в AMD. «Наша тісна інженерна співпраця з Micron об’єднує інновації в обчисленнях та пам’яті, щоб допомогти клієнтам повністю реалізувати потенціал платформ на базі AMD. Разом ми створюємо збалансовану, високопродуктивну інфраструктуру для зростаючого масштабу та складності сучасних робочих навантажень».
«Зростання AI та інших інтенсивних даних створює нові вимоги до серверної інфраструктури, роблячи місткість пам’яті та пропускну здатність все важливішими для загальної продуктивності системи», – сказала Карін Айбшиц Сегал, генеральний менеджер підрозділу платформ та системної інженерії в групі центрів обробки даних Intel. «Intel тісно співпрацює з Micron для тестування їх 512 ГБ DDR5 RDIMM та допомоги у створенні майбутніх серверних платформ, розроблених для задоволення зростаючих потреб робочих навантажень наступного покоління в центрах обробки даних».
Задоволення потреб у пам’яті для роботи з інтенсивними даними
Швидке поширення великих мовних моделей (LLM), агентного AI, обробки даних в реальному часі та багатоядерних процесорів стимулює попит на більшу місткість серверної пам’яті, вищу пропускну здатність та покращену енергоефективність.
Micron 512GB RDIMMs задовольняють ці потреби, дозволяючи більшим наборам даних залишатися в основній пам’яті, зменшуючи залежність від повільніших рівнів зберігання та мінімізуючи дорогі переміщення даних. Новий 512GB RDIMM також покращує ефективність, зменшуючи робочу потужність більш ніж на 60% порівняно з чотирма 128GB RDIMMs.
Для робочих навантажень, обмежених пам’яттю, таких як аналіз даних на основі Spark Support Vector Machines (SVM), Micron 512GB RDIMMs можуть забезпечити до 1,4 рази вищу продуктивність порівняно з конфігураціями DDR5 об’ємом 256 ГБ. 512GB модуль також надає значні переваги для баз даних та платформ кешування, що вимагають великого обсягу пам’яті, включаючи RocksDB та Redis, покращуючи пропускну здатність, збільшуючи паралелізм та допомагаючи більш ефективно масштабувати набори даних.
Подробиці можна знайти на сайті: wccftech.com