Samsung долає “стіну” пам’яті та сховища: 400+ шарів V10 BV-NAND та zHBM, що розміщує HBM безпосередньо на ШІ-чіпах

Samsung представила новітні технології пам’яті та зберігання даних на FMS 2026, включно з V10 BV-NAND, zHBM та zNAND-O. AI-прискорювачі наступного покоління розміщуватимуть масивні вертикальні стеки HBM безпосередньо на них за допомогою технології Samsung zHBM Зі зростанням вимог до штучного інтелекту…









