SK hynix прискорює розробку 3D-стекованої DRAM — технології, подібної до 3D V-Cache, але для пам’яті

SK hynix активізувала розробку DRAM з 3D-компонуванням поверх логічного кристала (3D-Stacked DRAM-on-Logic), призначеної для роботи на обладнанні нового покоління для систем штучного інтелекту, зокрема мобільних. Компанія розпочала набір інженерів, які спеціалізуються на цій технології, через свій американський філіал у Сан-Хосе.…









