Samsung використовує NAND-технологію для прориву в DRAM, а SK hynix робить ставку на вертикальне складання для домінування в AI-пам’яті

Згідно з інформацією від інсайдерів у галузі, Samsung та SK hynix застосовують різні підходи до виробництва наступного покоління мікросхем пам’яті DRAM. Стрімке зростання попиту на обчислювальні потужності, спричинене розбудовою дата-центрів для ШІ, призвело до напруження на ринку пам’яті, спричинивши дефіцит…







