Внутрішні тести Samsung нібито виявили, що Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 страждає від проблем із перегріванням, що призводить до значного зниження продуктивності. Однак результати початкового звіту не були опубліковані. На тлі суперечок, директор з маркетингу Qualcomm Дон МакГвайр виступив із роз’ясненням, заявивши, що ці заяви є неправдивими, але його останній допис викликає більше запитань, ніж відповідей.
Новий допис у X стосується лише стандартного Snapdragon 8 Elite Gen 6, а не флагманського Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6
Дон МакГвайр негайно став на захист Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 та зазначив у відповіді Джейсону С. на X, що «OEM-виробники постійно оптимізують свої платформи під час запуску продуктів». Хоча керівник відділу маркетингу Qualcomm може мати на увазі внутрішні тести Samsung, які дозволяють Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 працювати на максимальному ліміті потужності, що призводить до теплового обмеження, він не згадує точну назву чіпсета у своєму дописі.
Натомість він згадує Snapdragon 8 Elite Gen 6, пропускаючи прикметник «Extreme», що, очевидно, створює неправильне враження про флагманський SoC від Qualcomm. Навіть незважаючи на значну кількість подібностей між 2-нм SoC, Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 може бути налаштований для досягнення заявлених тактових частот 5.00 ГГц, досягаючи вищого ліміту потужності. Для забезпечення стабільної продуктивності Qualcomm не тільки перейшла на 2-нм техпроцес TSMC, але й запровадила пакування «Offset PoP».
Для тих, хто не знайомий з Offset PoP, ця технологія розміщує радіатор поверх DRAM-чіпа, трохи відсуваючи його від кремнію, замість того, щоб розміщувати безпосередньо зверху, що допомагає підвищити стабільність роботи Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6. У попередньому тесті референсному смартфону знадобилося 15 хвилин, щоб досягти максимального температурного порогу, завдяки покращеному пакуванню, що більш ніж удвічі довше порівняно з пристроями, оснащеними Snapdragon 8 Elite Gen 5.
У нашому попередньому звіті ми відзначили, що, оскільки заяви походять з південнокорейського видання, можливо, підрив репутації Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 є частиною ширшої кампанії з позиціонування Samsung та її Exynos 2700 у вигідному світлі. Зрештою, власний 2-нм флагман компанії очікується до кінця 2026 року, і кращої нагоди, ніж зараз, для підтримки цього ажіотажу немає.
У рамках належної обачності ми відповіли на допис Дона МакГвайра у X, запитавши, чи він має на увазі Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6, чи звичайний Snapdragon 8 Elite Gen 6. Коли з’являться додаткові деталі, ми повідомимо усі відповідні відомості нашим читачам, тому залишайтеся з нами.
Джерело новин: Don McGuire
Про автора: Омар Сохаїл — репортер і аналітик мобільного відділу Wccftech, що спеціалізується на технологіях та бізнесі мобільної індустрії. Його експертиза охоплює складний ланцюжок поставок обладнання, висвітлюючи розробки у виробництві напівпровідників, літографію чіпів та технологію сенсорів камер.
Слідкуйте за Wccftech на Google, щоб отримувати більше наших новин у стрічці.
Подальше читання
Розробка базового чіпа HBM від Samsung сприяє вдосконаленню її 5G-модемів за 2 нм і може стати каталізатором для Qualcomm у пошуку альтернативної TSMC виробничої бази
Омар Сохаїл
AMD випустить APU “Soundwave” на базі Arm для ноутбуків Microsoft Surface, щоб конкурувати з MacBook Neo за привабливими цінами
Хассан Муджтаба
Samsung виявила серйозні проблеми з продуктивністю у внутрішніх тестах Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6, Qualcomm може зіткнутися з ультиматумом, якщо проблеми не будуть усунені
Омар Сохаїл
Ціни на кілька сімейств процесорів Intel зросли на 15-20%, очікується, що AMD також підвищить ціни на процесори
Сарфраз Хан
Подробиці можна знайти на сайті: wccftech.com