Компанія CXMT, схоже, зробила значний крок до освоєння 1a DRAM та подальших технологій. Застосування передового матеріалу в транзисторах DRAM дозволило зменшити витік струму, що відкриває шлях до вдосконалення виробничих процесів компанії для більш сучасних вузлів.
CXMT тепер використовує технологію High-k Metal Gate (HKMG) у своїх DRAM-транзисторах
Зі зменшенням компонентів до нанометрового масштабу стандартні ізоляційні шари з діоксиду кремнію (SiO₂) втрачають ефективність. Вони стають настільки тонкими, що струм починає протікати крізь них за рахунок квантового тунелювання.
Для подолання цього обмеження, пов’язаного з мініатюризацією процесів, CXMT, за повідомленнями, тепер використовує технологію High-k Metal Gate (HKMG). Вона замінює старий кремнієвий ізолятор на матеріал, подібний до оксиду гафнію (HfO₂). Для тих, хто не знайомий з темою, “k” тут позначає діелектричну проникність — здатність матеріалу до електричної ізоляції. Оскільки гафній має значно вищий показник “k”, ніж діоксид кремнію, це дозволяє більш агресивно масштабувати процес DRAM, забезпечуючи зберігання більшої кількості заряду при тій самій напрузі.
Технологія HKMG також замінює старий полікремнієвий затвор на спеціалізовані металеві структури, усуваючи неефективну “мертву зону”, відому як “полікремнієве виснаження”.
Put simply, the biggest technical bottleneck preventing CXMT from moving to the 1α node and beyond has now been removed. https://t.co/OUnW04eCpS
— Jukan (@jukan05) August 27, 2026
Як відомо, DRAM-масиви складаються з мільярдів крихітних комірок, кожна з яких містить один транзистор (перемикач) і один конденсатор (резервуар для зберігання заряду). Технологія HKMG не тільки зменшує витік струму та пов’язані з цим втрати теплової енергії, але й підвищує енергоефективність і сприяє збільшенню швидкості, оскільки транзистори можуть змінювати стан набагато швидше, ніж це було б можливо з полікремнієвими затворами.
Оскільки CXMT, за повідомленнями, застосовує цю технологію до свого виробничого процесу G4 DRAM (який, за загальною думкою, базується на вузлі 1z), а також до продуктів LPDDR5X, можна припустити, що компанія готується перейти до більш досконалого вузла 1a. Це стає ще більш імовірним, враховуючи, що CXMT вже розробляє свій наступний виробничий процес G5 DRAM на 15 нм.
Варто зазначити, що китайський гігант DRAM, за повідомленнями, перебуває на стадії ризикового виробництва HBM2E — третього покоління HBM — використовуючи свій виробничий процес G3 DRAM на 18 нм. Також компанія тестує HBM3 на своєму процесі G4. Крім того, чіпи пам’яті DDR6 від CXMT завершили етап верифікації R&D, наблизившись до масового виробництва.
На противагу діям CXMT, так звана “велика трійка” гравців на ринку пам’яті — Samsung, SK hynix та Micron — переходять до наступного покоління вузла D0a менше 10 нм, одночасно розглядаючи 3D DRAM (вертикальне розташування комірок) і процес 4F², який є архітектурою пам’яті наступного покоління, де компоненти однієї комірки пам’яті (один транзистор і один конденсатор) розташовуються вертикально, а не горизонтально. Ця зміна дизайну зменшує площу однієї комірки пам’яті до ідеального квадрата, який вимірюється як 4 × площа мінімальної ознаки в квадраті (4 × F²), і складається рівно з двох бітліній та двох вордліній. Варто зазначити, що бітлінії та вордлінії — це з’єднувальні структури, що використовуються для роботи транзисторів у кожній комірці пам’яті.
Зростання потужностей CXMT
CXMT агресивно нарощує свої виробничі потужності: до кінця поточного року планується досягти 300 000 пластин на місяць, порівняно з поточними близько 200 000 пластин на місяць. Компанія також матиме потужності, орієнтовані на HBM, близько 50 000 пластин на місяць.
Більше того, виробник пам’яті наразі будує дві нові фабрики в Шанхаї та Хефеї, які збільшать його виробничі потужності до 600 000 пластин на місяць. Фактично, CXMT вже на шляху до того, щоб обігнати Micron за обсягами виробництва до 2030 року.
More than 5x DRAM capacity increase from 2024 to 2031.
What node will those wafers be running in CXMT? pic.twitter.com/Mvg1wDwY2d
— John Intel (@intelfabs) August 27, 2026
Цікаво, що потужності CXMT, як очікується, зростатимуть приблизно на 100 000 пластин на місяць щорічно між 2026 і 2031 роками, досягнувши загальної потужності в приголомшливі 800 000 пластин на місяць!
Подробиці можна знайти на сайті: wccftech.com