Тайванський виробник пам’яті Nanya затвердив інвестиції у розмірі 346,6 млрд тайванських доларів (близько $10,7 млрд) для завершення будівництва фабрики Fab 5A та переходу на передові техпроцеси. Підприємство, яке вже перебуває на етапі будівництва, має розпочати випуск DRAM з використанням EUV-літографії у другій половині 2027 року, повідомляє OC3D.
Джерело зображення: overclock3d.net
На новому заводі компанія планує випускати пам’ять 10-нм класу, включаючи покоління 1C, 1D та 1E. При цьому пілотне виробництво чипів покоління 1C вже розпочалося, тоді як більш сучасні 1D та 1E поки що перебувають у розробці. Згідно з планом, після запуску потужність нарощуватимуть поетапно: спочатку до 30 тисяч пластин на місяць у 2028 році та до 35,9 тисяч у 2029 році. Проєктна потужність підприємства становитиме 45 тисяч пластин щомісячно.
Загальний обсяг капітальних витрат на Fab 5A оцінюється приблизно в $16 млрд. Впровадження EUV-літографії в межах 10-нм класу дозволить компанії розширити випуск сучасніших видів пам’яті, а не дублювати вже освоєні вузли. Одночасно виробник готується завершити кваліфікацію чипів LPDDR5 у своїх замовників до кінця поточного року.
Попри порівняно невелику частку світового ринку DRAM — близько 1,6 %, Nanya в останні квартали змогла помітно збільшити фінансові показники завдяки зростанню цін на DDR3 та DDR4. За даними TrendForce, зараз на DDR5 припадає лише близько 10 % виторгу компанії, тому запуск Fab 5A має суттєво збільшити її виробничі можливості в цьому сегменті. Крім того, ще один тайванський виробник пам’яті Winbond раніше оголосив про плани подвоїти загальний обсяг випуску DRAM у бітовому обчисленні.
Джерело новини: 3dnews.ru