Samsung Electronics оголосила про підписання меморандуму про стратегічну співпрацю з Broadcom загальною вартістю понад $200 млрд, розрахованого до 2030 року. За даними Bloomberg, ця сума відображає сукупний обсяг співпраці сторін протягом кількох років, а не вартість одноразового контракту. Угода охоплює випуск логічних чипів за передовими техпроцесами Samsung Foundry, розробку пам’яті HBM наступного покоління та використання технологій передового корпусування.
Джерело зображення: BoliviaInteligente / unsplash.com
Одним із ключових елементів співпраці стане виробництво комунікаційних ASIC Broadcom наступного покоління за техпроцесом Samsung класу менше 2 нм. Крім того, компанії мають намір спільно розробляти високошвидкісну пам’ять HBM для ШІ-прискорювачів та використовувати сучасні технології корпусування, що об’єднують обчислювальні кристали та пам’ять в одному корпусі.
Для Samsung угода має стратегічне значення. Компанія розраховує зміцнити позиції як у контрактному виробництві напівпровідників, де вона конкурує з TSMC, так і на ринку пам’яті для систем штучного інтелекту, де її головним суперником залишається SK hynix.
Про угоду оголосили під час візиту президента Південної Кореї Лі Чже Мьона до Кремнієвої долини, де проходить саміт зі штучного інтелекту. Під час заходу також були представлені нові угоди між південнокорейськими компаніями та американськими розробниками ШІ.
За матеріалами: 3dnews.ru