Intel XBM: Нова пам’ять для майбутнього, що прискорює з’єднання до 32 GT/s та знижує витрати через UCIe

Intel XBM: Нова пам'ять для майбутнього, що прискорює з'єднання до 32 GT/s та знижує витрати через UCIe 1

Intel опублікувала новий патент на свою пам’ять XBM, яка позиціонується як заміна HBM4, пропонуючи значно вищі можливості пропускної здатності.

Пам’ять HBM залишається стандартом для прискорювачів ШІ, але останнім часом для подолання дефіциту, ціни та енергоспоживання, пов’язаних зі стандартом, почали використовувати пам’ять LPDDR.

Минулі спроби Intel у сфері DRAM, такі як HMC (Hybrid Memory Cube) та MCDRAM, стикалися з різними проблемами і так і не вийшли на ринок. Проте з XBM Intel коригує свої амбіції в галузі DRAM, і разом із ZAM компанія може повернутися до сегменту DRAM. Це відбувається в той час, коли весь сегмент пам’яті переживає посилений дефіцит.

Цього тижня було опубліковано заявку на патент Intel, яка розкриває її пропозицію щодо Cross-Batch Memory (XBM) – пам’яті з надвисокою пропускною здатністю, яка пропонує значні покращення порівняно з поточним стандартом і може стати прямим конкурентом HBM4 у найближчому майбутньому. pic.twitter.com/RPKTZ9XwzS

— Underfox (@Underfox3) July 5, 2026

З одного боку, LPDDR є більш ефективною та пропонує більші обсяги пам’яті, але водночас має проблему з пропускною здатністю. Qualcomm вирішує цю проблему за допомогою своєї технології HBC, а Intel вже запропонувала альтернативу HBM під назвою ZAM (Z-Angle Memory). Ці рішення ще не досягли стадії комерціалізації, але схоже, що Intel має нову пропозицію для конкурента рівня HBM під назвою XBM.

Втілення описують пам’ять з надвисокою пропускною здатністю (часто згадувану в дискусіях як XBM або подібні альтернативи HBM наступного покоління), яка використовує транзистори з тильного боку. Структура пам’яті включає підкладку корпусу, опціональний базовий кристал та конфігурацію стекованих кристалів пам’яті. Кожен кристал пам’яті в стеку використовує технологію DRAM з одним транзистором та одним конденсатором (1T1C) з тильного боку. Це переміщує транзистори до металевих шарів задньої частини лінії (BEOL) для покращення ефективності використання площі, підвищення щільності TSV та значного збільшення пропускної здатності порівняно з традиційною DRAM з транзисторами передньої частини.

Джерело: Патент (Ultra High Bandwidth Memory With Backend Transistors)

Згідно з останнім патентом, поданим Intel, XBM – це пам’ять “cross-batch”, яка є блоком DRAM, підключеним до блоку введення/виведення UCIe, що працює на швидкості 32 ГТ/с. Мета – відповідати площі корпусу HBM4, при цьому кожна пам’ять XBM містить ємність кристала від 0,5 до 5,0 ГБ. Інтерфейс вводу/виводу прокладається через базовий кристал.

Intel XBM: Нова пам'ять для майбутнього, що прискорює з'єднання до 32 GT/s та знижує витрати через UCIe 2

Кожен підканал складається з 12 блоків даних (DB), і їх до 96 DB у 8-шаровій конфігурації XBM та 192 DB у 16-шаровій конфігурації XBM. Ці канали працюють на частоті 2 ГГц. Однією з переваг XBM є можливість її реалізації у різноманітних варіантах корпусів, включаючи MoP (Memory-on-Package), де вона може забезпечити вищу пропускну здатність та обсяги пам’яті у менших форм-факторах.

Кожен кристал пам’яті використовує технологію 1T1C (один транзистор, один конденсатор) DRAM з тильного боку. Транзистори виготовляються на металевих шарах задньої лінії (BEOL), а не на кремнії передньої лінії. Це значно підвищує ефективність використання площі, залишаючи більше місця для TSV та забезпечуючи вищу загальну щільність/пропускну здатність.

Архітектурні особливості:

  • Чергування підканалів та “жолобів” TSV для ефективної маршрутизації даних.
  • З’єднання високошвидкісних інтерконектів (HBI) з обох боків.
  • Вбудовані можливості самотестування (BIST), резервування та ремонту (включаючи резервні канали).
  • Інтерфейси UCIe (Universal Chiplet Interconnect Express) для високошвидкісної передачі даних.
  • Опціональний базовий кристал з логікою тестування/контролера/налагодження або повністю розподілена логіка по всьому стеку (у деяких варіантах базовий кристал відсутній).
Intel XBM: Нова пам'ять для майбутнього, що прискорює з'єднання до 32 GT/s та знижує витрати через UCIe 3

Згідно з деталями, XBM повинна відповідати або перевищувати площу корпусу HBM4, одночасно націлюючись на вищу пропускну здатність та обсяг пам’яті завдяки щільнішому використанню TSV та транзисторів з тильного боку. XBM має на меті подолати обмеження HBM (надлишкова площа TSV, складність маршрутизації, енергоспоживання).

Очікується, що нова архітектура пам’яті підтримуватиме значно вищу загальну пропускну здатність завдяки більшій кількості паралельних підканалів та ефективному стекуванню (спекулятивні оцінки в оглядах натякають на потенційне 2-кратне покращення, хоча сам патент не містить точних показників, таких як ГБ/с або цільові обсяги пам’яті). Комерціалізація XBM очікується приблизно у 2030+ році, що відповідає інформації, яку ми отримували щодо ZAM.

Intel XBM: Нова пам'ять для майбутнього, що прискорює з'єднання до 32 GT/s та знижує витрати через UCIe 4

Про автора: Хассан Муджтаба, програмний інженер за освітою та ентузіаст ПК за покликанням, є старшим редактором розділу апаратного забезпечення Wccftech. Маючи багаторічний досвід у галузі, він спеціалізується на глибокому технічному аналізі архітектур процесорів та графічних процесорів наступного покоління, материнських плат та систем охолодження. Його робота включає не лише найсвіжіші новини про майбутні технології, але й вичерпні практичні огляди та тестування.

Слідкуйте за Wccftech на Google, щоб отримувати більше новин у своїх стрічках.

Додатково для читання

Intel XBM: Нова пам'ять для майбутнього, що прискорює з'єднання до 32 GT/s та знижує витрати через UCIe 5

Assassin’s Creed Black Flag Resynced Review – Відродження найкращої ери франшизи, через понад десятиліття після дебюту на PS4

Kai TatsumotoIntel XBM: Нова пам'ять для майбутнього, що прискорює з'єднання до 32 GT/s та знижує витрати через UCIe 6

Ubisoft женуться за трендами з Shadows і програли, але Assassin’s Creed Black Flag Resynced тихо продається в 5,39 рази краще на Steam

Francesco De MeoIntel XBM: Нова пам'ять для майбутнього, що прискорює з'єднання до 32 GT/s та знижує витрати через UCIe 7

DeepSeek, за чутками, створює власний чіп для висновків, щоб звільнитися від NVIDIA та Huawei

Hassan MujtabaIntel XBM: Нова пам'ять для майбутнього, що прискорює з'єднання до 32 GT/s та знижує витрати через UCIe 8

Xbox обіцяли поставити на The Elder Scrolls VI, але Bethesda Game Studios було знищено під час звільнень в Xbox

Alessio Palumbo

Чи варто купувати? (Порада ІТ-Блогу): Поки що рано говорити про покупку, адже XBM – це технологія на стадії патентування, орієнтована на майбутнє (орієнтовно 2030+ рік). Однак, якщо Intel зможе реалізувати обіцяну вищу пропускну здатність та знижену вартість порівняно з HBM4, це може стати надзвичайно привабливим рішенням для високопродуктивних обчислень та ШІ, потенційно пропонуючи краще співвідношення ціни та продуктивності в довгостроковій перспективі.

Джерело новини: wccftech.com

Залишити відповідь

Ваша e-mail адреса не оприлюднюватиметься. Обов’язкові поля позначені *